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在半导体真空热处理设备中，加热元件和热屏蔽组件需要在极端高温下保持稳定的性能。高纯钼材凭借其高熔点、低蒸气压和优良的高温强度，成为高温组件的理想选择。

我们采用粉末冶金工艺制备高纯钼材：首先通过氢还原制备高纯钼粉（纯度99.95%），在200MPa下冷等静压成型，随后在1800℃烧结4小时，最后在1200℃热轧至所需尺寸。这一工艺使材料密度达到理论值的99.2%，室温抗拉强度650MPa，在1200℃高温下仍保持120MPa强度。

在真空高温性能测试中，材料表现出优异的稳定性。在10⁻⁵ Pa真空度、1400℃条件下，经过1000小时测试，材料蒸发速率低于1×10⁻⁹ g/cm²·s。通过XRD分析显示，材料在高温下仍保持稳定的BCC结构，无相变发生。

我们建立了一套完整的高温性能测试系统，包括高温蠕变测试、蒸发速率测量和热冲击测试。采用激光闪射法测量材料的热扩散系数，为真空高温组件的热设计提供准确的基础数据。